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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1204
1393
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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