RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3579
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link