RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
68
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
68
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1904
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link