RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2817
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link