RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2509
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link