RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2899
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link