RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3090
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link