RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3000
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link