RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
42
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3000
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link