RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
104
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2577
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link