RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
104
Rund um -285% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2577
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link