RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3572
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link