RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
104
Wokół strony -420% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3022
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link