RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3226
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link