RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3057
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link