RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
104
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3091
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link