RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3291
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link