RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3459
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link