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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
104
左右 -225% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
32
读取速度,GB/s
3,192.0
16.5
写入速度,GB/s
2,404.5
14.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3459
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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