RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3446
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link