RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
69
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3233
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link