RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2516
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link