RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
104
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2058
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link