RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
104
Wokół strony -333% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3230
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link