RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
104
En -333% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3230
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link