RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
104
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2290
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link