RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 10.8
    テスト平均値
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 104
    周辺 -285% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 2290

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM