RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3178
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link