RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
104
Autour de -373% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3178
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link