RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3038
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link