RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
104
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3061
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link