RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3434
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link