RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
104
Por volta de -259% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3434
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link