RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
104
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3313
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link