RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3085
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link