RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
104
Por volta de -271% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3085
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link