RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3207
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link