RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
104
Wokół strony -478% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3668
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link