RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
17.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
104
En -478% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3668
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link