RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
4156
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link