RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3673
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link