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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 17.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,404.5 left arrow 15.3
    测试中的平均数值
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB 需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 104
    左右 -271% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    104 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    3,192.0 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    2,404.5 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 3673

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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内存RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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内存RAM
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
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内存RAM
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