RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
104
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1484
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link