RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
104
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1970
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link