RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
104
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2609
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link