RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
104
Por volta de -197% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2609
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link