RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3268
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link