RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
104
Intorno -225% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
32
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3268
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link