RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
104
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3372
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link