RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
104
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3264
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link